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RS1E150GNTB  与  BSC090N03MS G  区别

型号 RS1E150GNTB BSC090N03MS G
唯样编号 A3-RS1E150GNTB A-BSC090N03MS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@15A,10V 7.5mΩ
上升时间 - 5ns
Qg-栅极电荷 - 24nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
封装/外壳 8-PowerTDFN -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 15A(Ta) 48A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 5.4ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 590pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),22.9W(Tc) 32W
典型关闭延迟时间 - 8.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3M
典型接通延迟时间 - 9ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,445 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),22.9W(Tc) 8.8mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 30V 15A(Ta)

暂无价格 2,445 当前型号
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暂无价格 0 对比

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